Unbesetzte elektronische Zustände von Halbleiteroberflächen (Oberflächenbandstrukturen)

Basic data for this project

Type of project: Individual project
Duration: 15/07/2005 - 12/09/2008

Description

Die energetische Lage und Dispersion unbesetzter elektronischer Zustände von Grenzflächen ist von großer Bedeutung fürelektronische Transportprozesse und die photoinduzierte Dynamik adsorbierter Moleküle. Insbesondere die Systeme mit großerBandlücke erlauben eine detaillierte Untersuchung solcher Zustände, was in diesem Vorhaben mittels inverser Photoemissiondurchgeführt werden soll. Konkret werden die energetische Lage und Dispersion unbesetzter Zustände von sauber präpariertenkubischen 3C-SiC(001) und hexagonalen 4H-SiC(0001) mit verschiedenen Oberflächenrekonstruktionen bestimmt. Desweiterensollen exydierte 4H-SiC(0001) Oberflächen untersucht werden, welche bei der Produktion von MOS-Strukturen von großerWichtigkeit sind. Die experimentellen Ergebnisse werden direkt mit neuen theoretischen ab initio Rechnungen verglichen.

Keywords: Halbleiteroberflächen